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NTD4904N
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T J = 25 ° C unless otherwise noted)
Parameter
Symbol
Test Condition
Min
Typ
Max
Unit
DRAIN ? SOURCE DIODE CHARACTERISTICS
Forward Diode Voltage
V SD
V GS = 0 V,
I S = 30 A
T J = 25 ° C
T J = 125 ° C
0.84
0.7
1.1
V
Reverse Recovery Time
t RR
40.4
ns
Charge Time
Discharge Time
ta
tb
V GS = 0 V, dIs/dt= 100 A/ m s,
I S = 30 A
20.5
19.9
Reverse Recovery Time
Q RR
35
nC
PACKAGE PARASITIC VALUES
Source Inductance (Note 5)
Drain Inductance, DPAK
L S
L D
2.48
0.0164
nH
Drain Inductance, IPAK (Note 5)
Gate Inductance (Note 5)
L D
L G
T A = 25 ° C
1.88
4.9
Gate Resistance
R G
1.0
2.0
W
5. Assume terminal length of 110 mils.
http://onsemi.com
3
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